[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置在审
| 申请号： | 201710221676.7 | 申请日： | 2017-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106910779A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张方振;宁策;牛菁;孙双 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极；半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧；源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极以及所述漏极；以及沟道区保护层，所述沟道区保护层设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合。由此，沟道区保护层可以保护器件不受外部环境影响，同时不影响器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极；半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧；源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极以及所述漏极；以及沟道区保护层，所述沟道区保护层设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合。
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