[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710222205.8 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108695382B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 神兆旭;卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 曲瑞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底和在衬底上基本垂直的半导体柱；在衬底结构的表面上依次形成第一保护层和第二保护层；对第二保护层进行刻蚀，以使得在衬底之上的第一保护层和在半导体柱的上表面上的第一保护层暴露；去除暴露的第一保护层，以使得衬底的表面和半导体柱的下部暴露；去除剩余的第二保护层；在衬底的表面上形成与半导体柱的下部接触的第一接触材料层。本申请引入了第一保护层和第二保护层，一方面，半导体柱的侧壁上不会形成第一接触材料层，另一方面，第一接触材料层形成在衬底的表面并且与半导体柱的下部接触，从而不会增大源极的串联电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底和在所述衬底上基本垂直的半导体柱；在所述衬底结构的表面上依次形成第一保护层和第二保护层；对所述第二保护层进行刻蚀，以使得在所述衬底之上的第一保护层和在所述半导体柱的上表面上的第一保护层暴露；去除暴露的第一保护层，以使得所述衬底的表面和所述半导体柱的下部暴露；去除剩余的第二保护层；以及在所述衬底的表面上形成与所述半导体柱的下部接触的第一接触材料层。
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