[发明专利]半导体激光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201710223119.9 | 申请日： | 2017-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN107104362B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | R·保莱蒂;C·科里亚索;P·卡莱法蒂 | 申请（专利权）人： | 普里马电子股份公司 |
| 主分类号： | H01S5/125 | 分类号： | H01S5/125;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 王爱华 |
| 地址： | 意大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光二极管器件，包括：衬底；至少一个第一披覆层，设置在所述衬底上；活性层，设置在所述第一披覆层上并且布置为发射辐射；至少一个第二披覆层，设置在所述活性层上，所述披覆层适于形成异质结，从而允许电流有效注入所述活性层和光限制；第一端面和第二端面，相对于所述披覆层与所述活性层横向设置，并且通过干法或湿法刻蚀和/或其组合形成在所述层中；周期性结构，设置在所述第二端面附近以及所述第二披覆层内部，并且属于光腔，其中所述第一端面代表输出镜，由所述活性层产生的辐射从其出射，以及所述第二端面由周期性结构集成，代表具有高反射率的第二镜，从而由所述活性层产生的辐射几乎完全通过所述第一镜出射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种激光二极管器件，包括：衬底(2)；至少一个第一披覆层(4)，设置在所述衬底(2)上；活性层(6)，设置在所述第一披覆层(4)上并且布置为发射辐射；至少一个第二披覆层(8)，设置在所述活性层(6)上，所述第一披覆层(4)和第二披覆层(8)适于形成异质结，从而允许电流有效注入所述活性层(6)和光限制；第一端面(10a)和第二端面(10b)，相对于所述第一披覆层(4)、第二披覆层(8)和所述活性层(6)横向设置，并且通过干法刻蚀或湿法刻蚀和/或其组合形成在所述第一披覆层、第二披覆层和活性层中；周期性结构(12)，设置成靠近所述第二端面(10b)并在所述第二披覆层(8)内部，并且属于光腔，其中所述第一端面(10a)代表输出镜，由所述活性层(6)产生的辐射从其出射，以及所述第二端面(10b)由周期性结构(12)集成，代表具有高反射率的第二镜，从而所述活性层(6)产生的辐射几乎完全通过所述第一镜(10a)出射。
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