[发明专利]一种独立三栅FinFET器件的多阈值电压调控方法在审
| 申请号： | 201710223340.4 | 申请日： | 2017-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107123673A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 刘程晟;郑芳林;石艳玲;李小进;孙亚宾 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)31257 | 代理人： | 董红曼,马旸 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够实现多个阈值电压控制模式并且具备三个独立栅极结构的新型FinFET器件的多阈值电压调控方法，在无额外电压源的情况下，对左侧栅极金属层、右侧栅极金属层、顶部栅极金属层分别施加电源电压或接地，实现五种不同的阈值电压控制模式。本发明对顶部栅极介质层与底部栅极介质层分开沉积，能够实现顶部栅极介质层与底部栅极介质层材料与厚度的独立选取；本发明对顶部栅极金属层与底部栅极金属层分开沉积，能够实现顶部栅极金属层与底部栅极金属层材料的独立选取，上述方式均可实现对阈值电压的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 独立 finfet 器件 阈值 电压 调控 方法 | ||
【主权项】：
一种具备三个独立栅极结构的新型FinFET器件的多阈值电压调控方法，其特征在于，所述新型FinFET器件包括：衬底(1)；氧化物层(2)，其位于所述衬底(1)的表面；鳍形结构(3)，其位于所述氧化物层(2)的表面，形成中央的沟道区及两端的源区(3a)和漏区(3b)；栅极介质层(5)，其垂直设置在所述鳍形结构(3)的沟道区上且包围所述沟道区；所述栅极介质层(5)包括：设置在所述鳍形结构(3)左侧的左侧栅极介质层(5a)、设置在所述鳍形结构(3)右侧的右侧栅极介质层(5b)、以及设置在所述鳍形结构(3)顶部的顶部栅极介质层(5c)；栅极金属层(4)，其包括：左侧栅极金属层(4a)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述左侧栅极介质层(5a)及所述氧化物层(2)之间；右侧栅极金属层(4b)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)、所述右侧栅极介质层(5b)及所述氧化物层(2)之间；顶部栅极金属层(4c)，其位于所述顶部栅极介质层(5c)的上方；及侧墙(6)，其设置在所述栅极介质层(5)与所述栅极金属层(4)的两侧；在无额外电压源的情况下，对所述左侧栅极金属层(4a)、所述右侧栅极金属层(4b)、所述顶部栅极金属层(4c)分别施加电源电压(VDD)或接地，实现五种不同的阈值电压控制模式。
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