[发明专利]用以在集成电路中集成热过孔结构的技术有效
申请号: | 201710223449.8 | 申请日: | 2017-04-07 |
公开(公告)号: | CN107403022B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 杰佛瑞·P·卡比诺;理查·S·格拉夫;撒帝·曼杜 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;H01L27/02;G06F115/06;G06F119/08 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用以在集成电路中集成热过孔结构的技术,其中一种集成电路设计技术包括在集成电路(IC)设计的衬底的第一表面上设置标准单元。在该第一表面上定位至少两个空置区域,该空置区域不包括标准单元。确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充过孔的高宽比。在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充过孔。最后,自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热过孔,以将该一个或多个部分热过孔与该一个或多个微填充过孔热耦接,从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。 | ||
搜索关键词: | 用以 集成电路 集成 结构 技术 | ||
【主权项】:
一种集成电路设计方法,包括:通过数据处理系统在集成电路设计的衬底的第一表面上设置标准单元;通过该数据处理系统在该第一表面上定位至少两个空置区域,该空置区域不包括标准单元;通过该数据处理系统确定可设置于该至少两个空置区域中的一个或多个微填充过孔的高宽比;通过该数据处理系统在该至少两个空置区域中设置该一个或多个微填充过孔;以及通过该数据处理系统自与该第一表面相对的该集成电路的第二表面设置一个或多个部分热过孔,以将该一个或多个部分热过孔与该一个或多个微填充过孔热耦接,从而创建自该第一表面至该第二表面的热路径。
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