[发明专利]一种芯片工艺制造方法及光敏传感器芯片

摘要

本发明公开了一种芯片工艺制造方法及光敏传感器芯片，涉及电子技术领域，所述芯片工艺制造方法通过干法腐蚀工艺形成光敏传感器硅芯片几何结构；感应芯片和基准芯片通过导电银浆贴于金属基板，金属基板接地；栅极和源极接地，感应芯片和基准芯片漏极通过恒流源注入相同的电流，输出端将由光照强度的不同输出不同的电压信号。本发明实施例所述的芯片工艺制造方法及光敏传感器芯片可以通过采用CMOS集成电路中常用的LOCOS工艺，和MOS标准工艺完全兼容，工艺操作简单，降低了加工成本，且安全可靠。

主权项

1.一种芯片工艺制作方法，其特征在于，包括：a.选取硅材料晶向并作为硅衬底；b.氧化所述硅衬底表面生成氧化膜；c.注入B离子；d.在预先确定的源漏区进行光刻，注入BF2形成源极区和漏极区；e.在硅衬底表面生成SiN淀积，所述SiN淀积覆盖硅衬底及氧化膜；f.进行栅极光刻，形成栅氧化区窗口；g.在栅极区进行刻蚀，去除对应部分的介质层，所述的介质层包括氧化膜和SiN；h.在栅极区对应部分通过氧化生成氧化膜，控制所述氧化膜的厚度；i.去除在源极和漏极对应区域的介质层，生成接触孔；j.进行金属层沉淀，在栅极对应区域进行金属光刻，形成栅极以及键合PAD；k.进行金属刻蚀，去除金属层，反应终点控制在介质层，金属层合金及化学反应损伤退火，形成欧姆接触。