[发明专利]一种CVD构建CsPbBr3纳米片电致发光器件的方法

摘要

本发明涉及一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法。其制备方法为：将摩尔比为1.85‑2.05:1的CsBr和PbBr₂粉装入瓷舟壹(1)，并将刻蚀有电极的ITO玻璃片平铺于瓷舟贰(2)上后，将瓷舟壹(1)置于水平管式炉的中部，将瓷舟贰(2)置于水平管式炉中靠近出气口的一端；通入载气，排出炉内空气后，通入载气，并升温至瓷舟壹(1)的加热温度为570‑600℃、瓷舟贰(2)的加热温度为300‑400℃，进行沉积，得到产品。本发明首次用一种简单的方法在ITO电极上构建了CsPbBr₃纳米片器件，并得到了在电注入下的发光。所得器件性能高效稳定，可以应用于纳米级光电集成电路。

主权项

1.一种CVD构建CsPbBr₃纳米片电致发光器件的方法；其特征在于：将摩尔比为1.85‑2.05:1的CsBr和PbBr₂粉装入瓷舟壹(1)，并将刻蚀有电极的ITO玻璃片平铺于瓷舟贰(2)上后，将瓷舟壹(1)置于水平管式炉的中部，将瓷舟贰(2)置于水平管式炉中靠近出气口的一端；通入载气，排出炉内空气后，持续通入载气，并升温至瓷舟壹(1)的加热温度为570‑600℃、瓷舟贰(2)的加热温度为300‑400℃，载气将CsBr和PbBr₂蒸汽送至ITO玻璃片并沉积得到所述CsPbBr₃纳米片；沉积时，载气流速为30‑70sccm、炉内压力为280‑320Torr。