[发明专利]接触孔制作工艺缺陷的检查方法

摘要

本发明提供一种接触孔制作工艺缺陷的检查方法，使用现有技术中相同的接触孔制作工艺制作一个测试结构，该测试结构中PMOS结构上的共享接触孔与相邻的NMOS结构上的共享接触孔相邻，使得原本处于等电位的两列共享接触孔形成不等电位。然后对所有的接触孔内沉积金属形成金属栓，最后对上述结构进行电子束扫描，从而在扫描电镜下观察每个接触孔的亮度情况。

主权项

1.一种接触孔制作工艺缺陷的检查方法，用于检查接触孔制作工艺形成的共享接触孔是否与多晶硅短路，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一测试结构，所述测试结构上形成有使用所述接触孔制作工艺形成的接触孔和多晶硅，所述接触孔分为若干列共享接触孔和若干列非共享接触孔，其中两列共享接触孔相邻且电位相异，两列相邻的共享接触孔中，一列位于PMOS结构上，另一列位于NMOS结构上，每一列共享接触孔中，每两个共享接触孔中间间隔一个非共享接触孔，三者位于同一条有源区上，每个共享接触孔皆一端与所述多晶硅接触，所述多晶硅长度方向定义为行，所述行与所述列在水平面上相互垂直，在所有的接触孔内沉积金属形成金属栓；步骤二：对步骤一的结构进行电子束扫描，观察每个接触孔的亮度，根据每个接触孔的亮度，判断每个所述共享接触孔是否与多晶硅具有短路现象。