[发明专利]一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法

摘要

本发明公开了一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法。本发明通过谷胱甘肽与金离子进行络合，在导电玻璃上沉积金纳米簇，然后利用沉积了金纳米簇的导电玻璃作为电极，对Zn²⁺进行电镀，制备得到排列整齐，分布均匀的ZnO纳米阵列。本发明方法克服了现有技术中ZnO排列难以控制、分布不均等缺陷。本发明可以有序控制ZnO纳米阵列的厚度，粒径，长度等，以得到符合预期结果的ZnO纳米阵列。ZnO纳米阵列在环境保护、节能、生物传感器等方面有着广泛的应用。因此，本发明对ZnO纳米阵列的制备及应用具有重大意义。

主权项

1.一种基于电镀制备ZnO纳米阵列的方法，其特征在于由如下步骤制得：(1)称取一定量的金试剂溶解到去离子水中配制成新鲜氯金酸溶液，浓度为0.1～1000mg/mL；称取一定量谷胱甘肽固体溶解到去离子水中配制成谷胱甘肽溶液，浓度为0.1～1000mg/mL；将谷胱甘肽溶液逐滴滴加到金试剂溶液中，让其与金离子充分反应；谷胱甘肽分子作为配体充分的与Au3+发生络合反应，从而形成稳定的络合物[Au(GSH)]3+，浓度为0.1～1000mg/mL；（2）将电极浸入一定浓度的金络合物溶液中，水浴恒温，在电极上沉积金纳米簇；（3）在电极均匀沉积一层金纳米簇后，在浓度为0.1～5.0mol/L的Zn2+溶液中进行电镀，水浴加热30～100℃，电镀时间1～8h，制备得到ZnO纳米阵列。