[发明专利]SOI键合硅片的制备方法在审
| 申请号： | 201710225955.0 | 申请日： | 2017-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108695147A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 柳清超;李捷;高文琳;刘洋 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种SOI键合硅片的制备方法，包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、一次退火步骤、裂片步骤、二次退火步骤、刻蚀步骤、抛光步骤，所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、一次退火步骤、裂片步骤、二次退火步骤、刻蚀步骤、抛光步骤依次进行，所述刻蚀步骤中，刻蚀方式为等离子刻蚀，刻蚀原子量为1E12/cm2‑1E22/cm2。其有益效果是：可以去除SOI硅片表面的损伤层，改善SOI层膜厚均匀性，再进行大约10nm‑50nm的机械抛光，就可以制造超薄的SOI层。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀步骤 二次退火 键合硅片 裂片步骤 抛光步骤 氧化步骤 一次退火 键合 制备 等离子刻蚀 膜厚均匀性 机械抛光 刻蚀方式 损伤层 原子量 刻蚀 去除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种SOI键合硅片的制备方法，包括氧化步骤、注入步骤、键合步骤、一次退火步骤、裂片步骤、二次退火步骤、刻蚀步骤、抛光步骤，所述氧化步骤、注入步骤、键合步骤、一次退火步骤、裂片步骤、二次退火步骤、刻蚀步骤、抛光步骤依次进行，其特征在于，所述刻蚀步骤中，刻蚀方式为等离子刻蚀，刻蚀原子量为1E12/cm2‑1E22/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
