[发明专利]一种斜方晶系钨酸盐及其制备方法在审
申请号: | 201710226434.7 | 申请日: | 2017-04-09 |
公开(公告)号: | CN106915775A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 覃杏柳;苏启武;苏聪学 | 申请(专利权)人: | 桂林理工大学 |
主分类号: | C01G41/00 | 分类号: | C01G41/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于氧离子导体的斜方晶系钨酸盐Mg2.56V1.12W0.88O8及其制备方法。所述制备方法为按Mg2.56V1.12W0.88O8的化学计量比称取相应的原料,然后通过球磨,高温预烧并快速取出冷却,再球磨,最后冷等静压后烧结得到Mg2.56V1.12W0.88O8。制备方法简单,适合大规模生产。该方法合成的Mg2.56V1.12W0.88O8高温度下具有较高的离子导电性、具有较高的热稳定性及化学稳定性,是一种优良的氧离子导体材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶系 钨酸盐 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种斜方晶系钨酸盐作为氧离子导体的应用,其特征在于所述钨酸盐具有如下化学表示式:Mg2.56V1.12W0.88O8;所述钨酸盐在300‑500℃时电导率为10‑3~10‑2S/cm;所述钨酸盐的制备方法具体步骤为:(1)将MgO原始粉末在950℃煅烧并保温6小时,然后取出备用;(2)将V2O5、WO3以及步骤(1)煅烧后的MgO的三种原始粉末按Mg2.56V1.12W0.88O8的组成称量配料并放入球磨罐中,加入直径为7mm的氧化锆球,球磨2小时,混合均匀磨细,取出得到粉末原料;(3)将步骤(2)球磨后的粉末原料压成柱状样品,置于陶瓷承烧板上,用坩埚罩住样品,然后置于管式炉中,950℃煅烧,保温4小时,然后从950℃的管式炉中用钳子夹住承烧板并快速取出,使陶瓷承烧板上,坩埚内的样品快速冷却,冷却至室温后捣碎研磨成粉末;(4)将步骤(3)研磨所得的粉末放入球磨罐中,加入直径分别为2mm和7mm的氧化锆球,粉末和氧化锆球在球磨罐里球磨15个小时,混合均匀磨细,得到粉末原料;(5)将步骤(4)球磨后的粉末原料冷等静压20MPa成型为直径1.3cm,厚度0.3cm的圆片,然后在马弗炉中1000‑1050℃烧结,保温6小时后,自然冷却至室温,得到钨酸盐Mg2.56V1.12W0.88O8。
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