[发明专利]一种同基质的“闪烁体-半导体-闪烁体”复合X射线探测器有效
| 申请号： | 201710226565.5 | 申请日： | 2017-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN107015263B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 谭俊;孙丽娜;孙伟;宋丹;邓江宁;孙永辉;王新丽;董宇 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;G01T1/202 |
| 代理公司： | 21234 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人： | 俞鲁江<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 110819辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种同基质的“闪烁体‑半导体‑闪烁体”复合X射线探测器，包括前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体。三者组成类似三明治结构，通过原子间吸引力结合，不需要耦合剂；前闪烁体、后闪烁体化学成分相同，厚度不同，通过对基质掺杂获得；半导体光电导探测器包括半导体基质、电极和引线；复合X射线探测器可以通过通用薄膜生长技术获得，生长过程中只需要调节掺杂浓度即可，将闪烁体、耦合剂、光电二极管或光电倍增管简三种材料化为一种材料，具有制作方法简单、制作原理单一、制作周期短、制作成本低等优势，同时，取消了耦合剂，闪烁体与光电导探测器通过原子间引力紧密结合，光损耗小，探测效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基质 闪烁 半导体 复合 射线 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种用于X射线检测的同基质的“闪烁体-半导体-闪烁体”复合探测器，其特征在于：/n复合探测器包括前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体；所述前闪烁体、半导体光电导探测器、后闪烁体为一种同基质材料，三者组成类似三明治结构，通过原子间吸引力结合，不需要耦合剂；/n所述前闪烁体、后闪烁体化学成分相同，厚度不同，前闪烁体较薄，后闪烁体较厚，通过对基质掺杂，掺杂度为0.1-5％获得；/n所述半导体光电导探测器包括基质、电极和引线；/n所述复合探测器可以通过通用薄膜生长技术获得，生长过程中只需要调节掺杂浓度即可；/n所述基质为Zn0、ZnS。/n
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