[发明专利]半导体结构及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201710228063.6 申请日: 2017-04-07
公开(公告)号: CN108695253A 公开(公告)日: 2018-10-23
发明(设计)人: 李勇;林仰魁 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/8234 分类号: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部;在鳍部露出的衬底上形成隔离结构,隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁;形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构;刻蚀栅极结构两侧部分厚度的鳍部,在鳍部内形成凹槽;对凹槽底部进行防穿通离子注入工艺,在凹槽底部的鳍部内形成防穿通掺杂离子区;在凹槽中形成掺杂外延层。一方面,相比在形成隔离结构之前进行防穿通离子注入工艺的方案,本发明防穿通离子注入工艺的注入剂量较小,从而减小对鳍部的注入损伤;另一方面,通过对凹槽底部进行防穿通离子注入工艺,有利于抑制短沟道效应;结合以上两个方面,使所形成半导体器件的电学性能得到提高。
搜索关键词: 鳍部 穿通 离子注入工艺 隔离结构 衬底 半导体结构 半导体器件 掺杂外延层 短沟道效应 侧壁表面 掺杂离子 电学性能 顶部表面 刻蚀栅极 栅极结构 注入剂量 侧壁 分立 覆盖 基底 减小 横跨 损伤
【主权项】:
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部;在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构,所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁,且所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部;形成所述隔离结构后,形成横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面;刻蚀所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部,在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽;对所述凹槽底部进行防穿通离子注入工艺,在所述凹槽底部的鳍部内形成防穿通掺杂离子区;形成所述防穿通掺杂离子区后,在所述凹槽中形成掺杂外延层。
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