[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
申请号: | 201710228063.6 | 申请日: | 2017-04-07 |
公开(公告)号: | CN108695253A | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 李勇;林仰魁 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L27/088;H01L27/092 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部;在鳍部露出的衬底上形成隔离结构,隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁;形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构;刻蚀栅极结构两侧部分厚度的鳍部,在鳍部内形成凹槽;对凹槽底部进行防穿通离子注入工艺,在凹槽底部的鳍部内形成防穿通掺杂离子区;在凹槽中形成掺杂外延层。一方面,相比在形成隔离结构之前进行防穿通离子注入工艺的方案,本发明防穿通离子注入工艺的注入剂量较小,从而减小对鳍部的注入损伤;另一方面,通过对凹槽底部进行防穿通离子注入工艺,有利于抑制短沟道效应;结合以上两个方面,使所形成半导体器件的电学性能得到提高。 | ||
搜索关键词: | 鳍部 穿通 离子注入工艺 隔离结构 衬底 半导体结构 半导体器件 掺杂外延层 短沟道效应 侧壁表面 掺杂离子 电学性能 顶部表面 刻蚀栅极 栅极结构 注入剂量 侧壁 分立 覆盖 基底 减小 横跨 损伤 | ||
【主权项】:
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部;在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构,所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁,且所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部;形成所述隔离结构后,形成横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面;刻蚀所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部,在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽;对所述凹槽底部进行防穿通离子注入工艺,在所述凹槽底部的鳍部内形成防穿通掺杂离子区;形成所述防穿通掺杂离子区后,在所述凹槽中形成掺杂外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造