[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上分立的鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁；形成横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极结构；刻蚀栅极结构两侧部分厚度的鳍部，在鳍部内形成凹槽；对凹槽底部进行防穿通离子注入工艺，在凹槽底部的鳍部内形成防穿通掺杂离子区；在凹槽中形成掺杂外延层。一方面，相比在形成隔离结构之前进行防穿通离子注入工艺的方案，本发明防穿通离子注入工艺的注入剂量较小，从而减小对鳍部的注入损伤；另一方面，通过对凹槽底部进行防穿通离子注入工艺，有利于抑制短沟道效应；结合以上两个方面，使所形成半导体器件的电学性能得到提高。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底上分立的鳍部；在所述鳍部露出的衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部；形成所述隔离结构后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部表面和侧壁表面；刻蚀所述栅极结构两侧部分厚度的鳍部，在所述栅极结构两侧的鳍部内形成凹槽；对所述凹槽底部进行防穿通离子注入工艺，在所述凹槽底部的鳍部内形成防穿通掺杂离子区；形成所述防穿通掺杂离子区后，在所述凹槽中形成掺杂外延层。