[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201710228606.4 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107275410A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/477;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 何欣亭,付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体器件的制造方法包含以下步骤在衬底上形成栅极电极；在栅极电极上形成栅极绝缘膜；形成氧化物半导体膜；在形成第一氧化物半导体膜的步骤之后，进行热处理以形成第二氧化物半导体膜；形成第一导电膜；形成包含厚度不同的区域的第一抗蚀剂掩模；利用第一抗蚀剂掩模蚀刻第二氧化物半导体膜及第一导电膜以形成第三氧化物半导体膜及第二导电膜；减小第一抗蚀剂掩模的尺寸以形成第二抗蚀剂掩模；利用第二抗蚀剂掩模选择性地蚀刻第二导电膜以除去第二导电膜的一部分，以便形成源极电极及漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：栅极电极；所述栅极电极上的第一绝缘膜；所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及所述氧化物半导体膜上的第一导电膜和第二导电膜，其中，当从上方观察时，所述第一导电膜和所述第二导电膜设置在所述氧化物半导体膜之内，以及其中，所述氧化物半导体膜的末端位于所述第一导电膜及所述第二导电膜的末端之外，以便距所述第一导电膜及所述第二导电膜的末端具有大于或等于1μm且小于或等于10μm的距离，使得所述氧化物半导体膜的上表面的部分从所述第一导电膜及所述第二导电膜暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710228606.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
