[发明专利]无衬底芯片封装LED及其制作工艺在审
申请号: | 201710228689.7 | 申请日: | 2017-04-10 |
公开(公告)号: | CN107039574A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 董翊 | 申请(专利权)人: | 导装光电科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙)44251 | 代理人: | 刘汉民 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种无衬底芯片封装LED及其制作工艺,包括以下步骤A.将倒装芯片通过P电极和N电极固晶于LED基板上;B.将步骤A中固晶后的倒装芯片的蓝宝石衬底进行剥离;C.在剥离了蓝宝石衬底的GaN外延层的表面和侧面涂敷一层厚度均匀的荧光粉涂层,随后通过高温将荧光粉涂层固化。无衬底芯片封装LED发光效率高,亮度大,散热性良好,有效延长使用寿命,且在制作过程中有效解决剥离蓝宝石衬底时外延层刚性支承问题。 | ||
搜索关键词: | 衬底 芯片 封装 led 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种无衬底芯片封装LED,其特征在于,包括无衬底倒装芯片、荧光粉涂层、LED基板,所述无衬底倒装芯片包括GaN外延层、P电极、N电极,其中所述P电极、N电极镀在GaN外延层的底表面上,所述荧光粉涂层覆盖固定在GaN外延层的上表面以及侧表面上,无衬底倒装芯片通过将P电极和N电极封装固定在LED基板表面并与LED基板电导通。
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