[发明专利]基于高k栅介质的大面积二硫化钼场效应晶体管及其制备有效
| 申请号： | 201710229913.4 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN106910776B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张礼杰;赵梅;董幼青;邹超;黄少铭 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/24;H01L29/51;H01L21/443;H01L21/34;H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 周丽娟 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于高k栅介质的大面积二硫化钼场效应晶体管及其制备，该场效应晶体管包括依次层叠的Si衬底、薄膜表面粗糙度为0.21～0.65nm的HfO2栅介质层和场效应厚度为0.7～1.0nm的单层二硫化钼三角片导电沟道，以及在导电沟道上的金属源漏电极。其中，厚度可控的HfO2栅介质层是在Si衬底上ALD生长制得，单层大面积的MoS2三角片导电沟道是在栅介质上面直接CVD生长制得。该场效应晶体管具有良好的背栅栅压调控特性，场效应迁移率有很大的提升，且MoS2尺寸大、可重复性好、产量高、耗时短，有望实现MoS2大规模集成电路的制备和工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 介质 大面积 二硫化钼 场效应 晶体管 及其 制备 | ||
【主权项】：
1.基于高k栅介质的二硫化钼场效应晶体管，其特征在于，包括依次层叠的Si衬底、HfO2栅介质层和二硫化钼导电沟道，以及在导电沟道上的金属源电极和金属漏电极，其中，所述HfO2栅介质层的薄膜表面粗糙度为0.21～0.65nm；所述二硫化钼导电沟道为单层的二硫化钼三角片，所述二硫化钼导电沟道的厚度为0.7～1.0nm，所述二硫化钼导电沟道是通过常压化学气相沉积法在所述HfO2栅介质层/Si衬底上直接生长得到的；所述的金属源电极为铬/金堆叠结构，所述的金属漏电极为铬/金堆叠结构。
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