[发明专利]一种高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201710230220.7 | 申请日： | 2017-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN107096394B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张小珍;江瑜华;林彬;胡学兵;汪永清;田传进;宋牙牙 | 申请（专利权）人： | 景德镇陶瓷大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22 |
| 代理公司： | 44261 广州广信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李玉峰 |
| 地址： | 333001 江西省景*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜，由石墨烯和质子导体氧化物两相构成，所述石墨烯的掺杂量为0.03～0.25wt％，所述质子导体氧化物的含量为99.75～99.97wt％。此外，还公开了上述高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜的制备方法。本发明通过微量石墨烯的掺杂，使质子导体氧化物膜获得了高的电子电导率，在显著提高了质子导体氧化物膜的H | ||
| 搜索关键词： | 一种 渗透性 石墨 掺杂 质子 导体 致密 陶瓷 透氢膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高渗透性石墨烯掺杂质子导体致密陶瓷透氢膜，其特征在于：由石墨烯和质子导体氧化物两相构成；所述石墨烯的掺杂量为0.03～0.25wt%，以石墨烯或氧化石墨烯为原料，所述石墨烯的厚度为0.35～1nm、片径为50～300nm，所述氧化石墨烯的厚度为0.7～1.5nm、片径为50～300nm；所述质子导体氧化物为钙钛矿结构复合氧化物BaZr
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