[发明专利]一种用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池有效
申请号: | 201710230855.7 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN107093670B | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 杨英;张政;郭学益;高菁;潘德群 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人: | 张慧;赵静华 |
地址: | 湖南省长沙市岳麓区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池,包括以下步骤:(1)清洗透明FTO导电玻璃,得到透明导电基底;(2)在步骤(1)所得透明导电基底上制备拓扑绝缘体电子传输层;(3)依次将钙钛矿CH3NH3PbX3吸光层、空穴传输层旋涂至拓扑绝缘体电子传输层上,再覆盖对电极,得到用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池。本发明采用拓扑绝缘体这一类全新的量子物态作为电子传输层,其体相是有能隙的绝缘体,表面是金属态,载流子可以沿材料表面迅速传导,使电子传输具有方向性,能减少表面复合,不会因外来的扰动而失去电子性,能提高钙钛矿太阳能电池的稳定性及光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 拓扑 绝缘体 作为 电子 传输 钙钛矿 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种用拓扑绝缘体作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,其采用拓扑绝缘体作为电子传输层;拓扑绝缘体电子传输层为Bi2Se3、Sb2Te3、Bi2Te3中的至少一种。
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