[发明专利]一种低电压电流自匹配栅极开关电荷泵有效

专利信息
申请号: 201710231215.8 申请日: 2017-04-11
公开(公告)号: CN106936310B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 陈超 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 徐莹
地址: 210096 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种低电压电流自匹配栅极开关电荷泵,包括充电电路和放电电路,所述充电电路由第一电源和第二电源、第一误差放大器、第一至第三PMOS管、一对NMOS管组成,所述充电电路通过负反馈将输入参考电流源的漏极箝位至第二电源,使得充电支路中的第三PMOS管与参考支路中串联第二PMOS管的各端口电压均相等,确保输出电压变化时充电电流等于输入参考电流;所述放电电路由低电压轨到轨误差放大器及四个NMOS管构成的反馈环路,用于追踪输出节点的电压变化,并实时调整放电电路中NMOS管的栅极电压,使放电电流在不同输出电压下始终等于输入参考电流。本发明实现了在不同输出电压下充放电电流保持相等,并且提升了输入参考电流源的输出阻抗,使之更加恒定。
搜索关键词: 一种 电压 电流 匹配 栅极 开关 电荷
【主权项】:
1.一种低电压电流自匹配栅极开关电荷泵,包括充电电路和放电电路,其特征在于:所述充电电路由第一电源和第二电源、第一误差放大器、第一至第三PMOS管、一对NMOS管组成,所述充电电路通过负反馈将第一PMOS管的漏极箝位至第二电源,使得充电支路中的第三PMOS管与第二PMOS管的栅极、源极以及漏极电压均相等,确保输出电压变化时充电电流始终等于输入参考电流;所述放电电路由低电压误差放大器及第一至第四NMOS管构成反馈环路,用于追踪输出节点的电压变化,并实时调整放电电路中第二NMOS管的栅极电压,使放电电流在不同输出电压下始终等于输入参考电流;其中,所述充电电路具体包括:第一电源VDD1、第二电源VDD2、第一误差放大器A1、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6,其中第一PMOS管P1的源极接第一电源VDD1,及第一PMOS管P1的栅极接第一偏置电压Vb1和第一PMOS管P1的漏极接第二PMOS管P2的源极;第二PMOS管P2的栅极接第一误差放大器A1的输出端,且第二PMOS管P2的漏极接放电电路;所述第一误差放大器A1的输入负端接第二PMOS管P2的源极,且第一误差放大器A1的输入正端接第二电源VDD2;第六NMOS管N6的源极接第二PMOS管P2的栅极,且第六NMOS管N6的栅极接充电开关信号VCP及第六NMOS管N6的漏极接第三PMOS管P3的栅极;第五NMOS管N5的漏极接第二电源VDD2,且第五NMOS管N5的栅极接充电开关反相信号VCPN,及第五NMOS管N5的源极接第三PMOS管P3的栅极;所述第三PMOS管P3的源极接第二电源VDD2,且第三PMOS管P3的漏极接电荷泵输出端VOUT;其中,所述放电电路具体包括:低电压误差放大器A2、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第三滤波电容C3,其中所述第一NMOS管N1的漏极连接第二PMOS管P2的漏极,且第一NMOS管N1的源极接地且其栅极接低电压误差放大器A2的输出端;所述低电压误差放大器A2的输入正端接第一NMOS管N1的漏极,且其输入负端接电荷泵输出端VOUT;第二NMOS管N2的漏极接电荷泵输出端VOUT,且第二NMOS管N2的源极接地,及第二NMOS管N2的栅极连接第四NMOS管N4的漏极;所述第四NMOS管N4的源极接第一NMOS管N1的栅极,且第四NMOS管N4的栅极接放电开关信号VCN;所述第三NMOS管N3的漏极接第二NMOS管N2的栅极,且第三NMOS管N3的栅极接放电开关反相信号VCNN,及第三NMOS管N3的源极接地;所述第三滤波电容C3的正极接电荷泵输出端VOUT且其负极接地。
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