[发明专利]一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710231843.6 | 申请日： | 2017-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN107083530B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 王丽娟;范思大;张梁;张沛沛;朱阳阳;尹丽;孙丽晶;李占国 | 申请（专利权）人： | 长春工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130012 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法，利用石墨烯量子点表面效应的高化学活性横向诱导红荧烯晶体生长的方法。在SiO2衬底（3）制备石墨烯量子点（1）诱导层，红荧烯分子（2）在石墨烯量子点（1）诱导下沿石墨烯量子点（1）边缘生长。其中石墨烯量子点（1）采用溶剂热法将改进Hummers法制备的氧化石墨烯置于220ºC高温高压反应釜中进行切割，再将石墨烯量子（1）点溶于乙醇中旋涂于SiO2衬底上进行烘干，石墨烯量子点（1）呈点状分布，接着红荧烯分子（2）沿着石墨烯量子点（1）边缘横向生长，逐渐铺满整个衬底，形成有序、均匀的红荧烯薄膜。该方法利于实现红荧烯的结晶性生长形成高有序的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 量子点 红荧烯 薄膜 衬底 化学活性 诱导生长 高温高压反应釜 高化学活性 量子点表面 氧化石墨烯 边缘横向 边缘生长 点状分布 横向诱导 晶体生长 溶剂热法 结晶性 诱导层 生长 乙醇 烘干 量子 下沿 旋涂 制备 切割 诱导 改进 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯量子点化学活性诱导生长红荧烯薄膜的方法包括：石墨烯量子点（1）横向诱导层和红荧烯分子（2）沿石墨烯量子点边缘化学活性点处诱导生长在二氧化硅衬底（3）上；石墨烯量子点（1）横向诱导层，采用旋涂方法将溶于乙醇溶液中的石墨烯量子点涂布在二氧化硅衬底（3）上，前转速为800rpm下旋涂6s，接着在后转速2600rpm下旋涂45s，置于60℃烘箱中1.0h，形成点状分布的石墨烯量子点（1）横向诱导层，石墨烯量子点直径为30‑50nm，石墨烯量子点间距为50‑100nm；红荧烯分子（2）沿石墨烯量子点边缘化学活性点处诱导生长层，带有石墨烯量子点（1）横向诱导层的二氧化硅衬底（3）置于蒸镀设备中，在6×10‑4Pa真空环境中慢速蒸镀红荧烯分子，衬底温度为70ºC，蒸镀速度为0.5‑1Å/min，红荧烯分子（2）沿着高化学活性石墨烯量子点边缘生长，逐渐铺满 整个衬底，生长厚度20nm的红荧烯薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春工业大学，未经长春工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710231843.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
