[发明专利]膜形成方法在审
申请号: | 201710232006.5 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN107385414A | 公开(公告)日: | 2017-11-24 |
发明(设计)人: | 古村雄二;清水纪嘉;西原晋治;拝形英里;石川真人 | 申请(专利权)人: | 株式会社菲尔科技 |
主分类号: | C23C16/452 | 分类号: | C23C16/452;C23C16/455;C23C16/40 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 王玉玲,李雪春 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供在室温下高速且被覆性良好地成膜化合物的膜的方法。该方法的膜形成装置具备分别蓄积第一原料气体和第二原料气体的蓄积机构、对第一原料气体及第二原料气体进行加热的瞬间加热部、和放置有温度低于瞬间加热部的加热温度的基体的反应室,将在蓄积机构蓄积的第一原料气体和第二原料气体通过瞬间加热部而生成第一气体分子种和第二气体分子种,使该第一气体分子种和第二气体分子种向放置有基体且被减压的一定容量的反应室突出而进行供给,使第一气体分子种的分压和第二气体分子种的分压急剧上升,对基体的表面交替反复导入第一气体分子种或第二气体分子种,使第一气体分子种或第二气体分子种发生反应,从而在基体的表面形成化合物膜。 | ||
搜索关键词: | 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种在膜形成装置中的膜形成方法,所述膜形成装置具备:分别蓄积第一原料气体和第二原料气体的蓄积机构、对所述第一原料气体及所述第二原料气体进行加热的瞬间加热部、和放置有温度低于所述瞬间加热部的加热温度的基体的反应室,所述膜形成方法中,将在所述蓄积机构蓄积的所述第一原料气体和所述第二原料气体通过所述瞬间加热部而生成第一气体分子种和第二气体分子种,使该第一气体分子种和第二气体分子种向放置有所述基体且被减压的一定容量的所述反应室突出而进行供给,使所述第一气体分子种的分压和所述第二气体分子种的分压急剧上升,对所述基体的表面交替反复导入所述第一气体分子种或所述第二气体分子种,使所述第一气体分子种或所述第二气体分子种发生反应,从而在所述基体的表面形成化合物膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社菲尔科技,未经株式会社菲尔科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710232006.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:成膜方法及成膜装置
- 下一篇:挡板和喷头组件及相应的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的