[发明专利]一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法

摘要

本发明涉及一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，包括以下步骤：利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；利用反应离子刻蚀技术实现光刻胶图形向硅片基底转移；利用激光加工技术将硅片基底切割成一矩形，并利用磁控溅射镀膜在硅片基底上沉积一层铜膜；另取直径48.75mm的铜板，其上加工出矩形凸台，并在凸台表面加工出一个直径6mm的通孔，并对铜板表面进行预处理；将硅片基底和铜板放入键合机中，利用铜铜键合实现二者的封接，完成标准漏孔的制作。本发明制得的标准漏孔尺寸可控，本底漏率低，能够实现宽压强范围内的气体分子流传输。

主权项

1.一种铜铜键合制作通道型标准漏孔的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：(1)利用氧等离子体对清洁后的硅片基底进行轰击处理；(2)在硅片基底表面旋涂一层AZ‑5530光刻胶，曝光显影后，在光刻胶表面形成矩形沟槽结构；(3)利用反应离子刻蚀技术实现光刻胶图形向硅片基底转移；(4)利用激光加工技术将硅片基底切割成一矩形，并利用磁控溅射镀膜在硅片基底上沉积一层200nm铜膜；(5)另取直径48.75mm的铜板，其上加工出矩形凸台，并在凸台表面加工出一个直径6mm的通孔，然后对铜板表面进行化学机械抛光(CMP)，处理后凸台表面的粗糙度＜1nm，铜板表面其他部分的粗糙度＜10nm；(6)将硅片基底和铜板放入键合机中，利用铜铜键合实现二者的封接，完成标准漏孔的制作。