[发明专利]一种基于可变功函数栅极的晶体管器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于可变功函数栅极的晶体管器件制备方法，包括提供半导体衬底；在半导体衬底上形成伪栅堆叠，并对伪栅堆叠两侧的半导体衬底暴露区域进行离子注入，形成源/漏区；除去伪栅，对源/漏区进行退火；提供单原子层沉积反应设备；在单原子层沉积反应设备中引入前驱源反应物；控制单原子层沉积的环境因素，生长功函数金属层。本发明还提供一种可变功函数栅极的晶体管器件。本发明能够实现功函数的可调，使用相同的材料体系，获得具有可调节范围的可调节阈值电压。

主权项

一种基于可变功函数栅极的晶体管器件制备方法，其特征在于，包括：步骤一：提供半导体衬底；步骤二：在所述半导体衬底上形成伪栅堆叠，并对所述伪栅堆叠两侧的所述半导体衬底暴露区域进行离子注入，形成源/漏区；步骤三：除去所述伪栅，对所述源/漏区进行退火；步骤四：提供单原子层沉积反应设备；步骤五：在所述单原子层沉积反应设备中引入前驱源反应物；步骤六：控制所述单原子层沉积的环境因素，生长功函数金属层。