[发明专利]一种掩模版基版Cr缺失的检测方法有效
申请号: | 201710233778.0 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN106959575A | 公开(公告)日: | 2017-07-18 |
发明(设计)人: | 刘浩;王兴平;尤春;刘维维;沙云峰;胡超;季书凤;朱希进;钱奇;薛文卿 | 申请(专利权)人: | 无锡中微掩模电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
代理公司: | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)11411 | 代理人: | 刘刚 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩模版基版Cr缺失的检测方法,包括以下步骤:1)、将掩模版涂有光刻胶玻璃面朝上,放在白光下照射;2)、将照射完的掩模版放在显影机里显影;3)、蚀刻机中进行蚀刻;4)、在光学量测设备上扫描蚀刻完的掩模版。本发明的掩模版背曝检测方法使用现有的工艺设备完成,无需其它支撑性设备;曝光时在白光下曝光,无需使用曝光机台和检测机台,有效地减轻了曝光机和检测机台压力,提高产能,操作简便,快捷高效。 | ||
搜索关键词: | 一种 模版 cr 缺失 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种掩模版基版Cr缺失的检测方法,其特征在于,包括以下步骤:1)、将掩模版涂有光刻胶玻璃面朝上,放在白光下照射;2)、将照射完的掩模版放在显影机里显影;3)、蚀刻机中进行蚀刻;4)、在光学量测设备上扫描蚀刻完的掩模版。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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