[发明专利]存储器元件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制备方法。其中，所述存储器元件，包括：半导体衬底、第一导体层、多个绝缘层、多个第二导体层，至少一个接触插塞以及至少一个虚拟插塞(dummy plug)。第一导体层，位于该半导体衬底上。多个绝缘层，位于第一导体层上；多个第二导体层，与这些绝缘层交错叠层，且和第一导体层电性隔离。接触插塞穿过这些绝缘层和这些第二导体层，与这些第二导体层电性隔离，且与第一导体层电性接触。虚拟插塞，穿过这些绝缘层和这些第二导体层，与接触插塞对应，且与第一导体层及这些第二导体层电性隔离。

主权项

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：一半导体衬底；一第一导体层，位于该半导体衬底上；多个绝缘层，位于该第一导体层上；多个第二导体层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导体层电性隔离；至少一接触插塞，穿过这些绝缘层和这些第二导体层，与这些第二导体层电性隔离，且与该第一导体层电性接触；以及至少一虚拟插塞(dummy plug)，穿过这些绝缘层和这些第二导体层，与该至少一接触插塞对应，且与该第一导体层和这些第二导体层电性隔离。