[发明专利]鳍状结构的制造方法有效
| 申请号： | 201710236563.4 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108695162B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李昆儒;许力介;廖羿涵;陆俊岑;林志勋;刘昕融 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种鳍状结构的制造方法，包括在衬底上形成沿着第一方向延伸的图案化的触媒层与图案化的钝化层。图案化的钝化层位于图案化的触媒层上。在图案化的触媒层的至少一侧形成碳层。所述碳层包括沿着第一方向排列的多个空心碳管，其中每一空心碳管沿着第二方向延伸。进行移除工艺，以移除每个空心碳管的上部及下部中最接近衬底的部分，以使留下多个残部做为掩模层。相邻的两个残部形成沿着第二方向延伸的条形图案。移除图案化的钝化层与图案化的触媒层。将掩模层的图案转移至衬底，以形成多个鳍状结构，以及移除所述掩模层。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍状结构的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成沿着第一方向延伸的图案化的触媒层与图案化的钝化层，所述图案化的钝化层位于所述图案化的触煤层上；在所述图案化的触媒层的至少一侧形成碳层，所述碳层包括沿着所述第一方向排列的多个空心碳管，其中每一空心碳管沿着第二方向延伸；进行移除工艺，以移除每个空心碳管的上部及下部中最接近所述衬底的部分，以使留下多个残部做为掩模层，其中相邻的两个残部形成沿着所述第二方向延伸的条形图案；移除所述图案化的钝化层与所述图案化的触媒层；将所述掩模层的图案转移至所述衬底，以形成多个鳍状结构；以及移除所述掩模层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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