[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201710236997.4 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN106981520A | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的栅电极和栅绝缘层；有源层，所述栅绝缘层设置于所述有源层和所述栅电极之间；所述有源层包括沟道区和设置在所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层设置有凸起部，所述凸起部位于所述掺杂区和栅电极之间。凸起部可以增加有源层中的掺杂区和栅电极之间的间隔距离，降低因掺杂区和栅电极重叠产生的寄生电容，可以提高薄膜晶体管的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的栅电极和栅绝缘层；有源层，所述栅绝缘层设置于所述有源层和所述栅电极之间；所述有源层包括沟道区和设置在所述沟道区至少一侧的掺杂区；其中，所述栅绝缘层设置有凸起部，所述凸起部位于所述掺杂区和栅电极之间。
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