[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 201710237921.3 | 申请日： | 2017-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108335713B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 林榆瑄;许凯捷;林昱佑;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体存储器装置包括：一存储器阵列，包括多个存储单元，所述存储单元处于一高阻抗状态或一低阻抗状态的任一者；一参考阵列，包括多个参考单元，所述存储单元与所述参考单元具有相同的阻抗‑温度关系，且所述参考单元处于一中阻抗状态，该中阻抗状态介于该高阻抗状态与该低阻抗状态之间；一平均电路，耦接至该参考阵列，用以平均由该参考阵列的所述参考单元所输出的个别参考电流成一平均参考电流；以及一比较器，耦接至该参考阵列与该平均电路，比较该平均参考电流与该存储器阵列的所述存储单元所输出的多个个别存储器电流，以得到多个输出数据以及判断该存储器阵列的所述存储单元的个别阻抗状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，包括：一存储器阵列，包括多个存储单元，所述存储单元处于一高阻抗状态或一低阻抗状态的任一者；一参考阵列，包括多个参考单元，所述存储单元与所述参考单元具有相同的阻抗‑温度关系，且所述参考单元处于一中阻抗状态，该中阻抗状态介于该高阻抗状态与该低阻抗状态之间；一平均电路，耦接至该参考阵列，用以平均由该参考阵列的所述参考单元所输出的个别参考电流成一平均参考电流；以及一比较器，耦接至该参考阵列与该平均电路，比较该平均参考电流与该存储器阵列的所述存储单元所输出的多个个别存储器电流，以得到该存储器阵列的所述存储单元的多个输出数据以及判断该存储器阵列的所述存储单元的个别阻抗状态。
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