[发明专利]一种基于简化对偶复合左右手结构的超宽带耦合器在审
| 申请号： | 201710239369.1 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN107069169A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张明芳;郭玉春 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十六研究所 |
| 主分类号： | H01P5/18 | 分类号： | H01P5/18 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙)11386 | 代理人： | 王涛,王一 |
| 地址： | 314033 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于简化对偶复合左右手结构的超宽带耦合器，该超宽带耦合器包括覆铜金属结构、介质基板结构；覆铜金属结构共三层，介质基板结构共两层；顶层的覆铜金属结构位于上层的介质基板结构的上表面；中层的覆铜金属结构位于上层的介质基板结构和下层的介质基板结构之间，作为公共接地面；底层的覆铜金属结构位于下层的介质基板结构的下表面；顶层和底层的覆铜金属结构均包括微带馈线、微带贴片、简化对偶复合左右手结构。本发明结构尺寸小，具有良好的超宽带特性；通过改变结构尺寸，可以灵活调整耦合器的工作频带和工作带宽。本发明所提出的平面结构通过普通印刷电路板技术便能够进行加工，完全适合大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 简化 对偶 复合 左右手 结构 宽带 耦合器 | ||
【主权项】：
一种基于简化对偶复合左右手结构的超宽带耦合器，其特征在于，该超宽带耦合器包括：覆铜金属结构、介质基板结构；所述覆铜金属结构共三层，所述介质基板结构共两层；顶层的所述覆铜金属结构位于上层的所述介质基板结构的上表面；中层的所述覆铜金属结构位于上层的所述介质基板结构和下层的所述介质基板结构之间，作为公共接地面(4)；底层的所述覆铜金属结构位于下层的所述介质基板结构的下表面；顶层和底层的所述覆铜金属结构均包括：微带馈线(1)、微带贴片(2)、简化对偶复合左右手结构(3)。
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