[发明专利]一种光栅刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710239753.1 | 申请日： | 2017-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108732666A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 焦庆斌;谭鑫;巴音贺希格;齐向东;高胜英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 赵勍毅 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供的光栅刻蚀方法，在单晶硅基底上生长抗蚀层后涂覆光刻胶并前烘；利用紫外曝光显影在单晶硅基底表面进行扇形光刻胶掩模图形的制备；利用抗蚀层腐蚀剂以及单晶硅刻蚀液将扇形光刻胶掩模图形转移至单晶硅基底上，利用扇形掩模图形内不同矩形条对应刻蚀现象不同确定单晶硅基底的晶向；确定单晶硅基底的晶向后，利用紫外曝光显影进行正式光栅光刻胶掩模图形的制作；利用抗蚀层腐蚀剂将正式光栅光刻胶掩模图形转移至抗蚀层上得到抗蚀层掩模图形并对抗蚀层掩模图形进行光刻胶去除；利用单晶硅刻蚀液将抗蚀层掩模图形转移至单晶硅基底上，对单晶硅基底进行清洁处理，有效提高光栅纵横刻蚀速率比，对制作出高深宽比的光栅具有直接的重要价值。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 光栅 抗蚀层 基底 掩模图形 刻蚀 光刻胶掩模图形 刻胶掩模 紫外曝光 腐蚀剂 刻蚀液 扇形光 晶向 显影 光刻胶去除 刻蚀速率比 高深宽比 基底表面 清洁处理 图形转移 光刻胶 矩形条 前烘 涂覆 制备 对抗 生长 制作 | ||
【主权项】：
1.一种光栅刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：在单晶硅基底上生长抗蚀层后涂覆光刻胶并前烘；利用紫外曝光显影在所述单晶硅基底表面进行扇形光刻胶掩模图形的制备；利用抗蚀层腐蚀剂以及单晶硅刻蚀液将扇形光刻胶掩模图形转移至单晶硅基底上，利用扇形掩模图形内不同矩形条对应刻蚀现象不同确定所述单晶硅基底的晶向；确定所述单晶硅基底的晶向后，利用紫外曝光显影进行正式光栅光刻胶掩模图形的制作；利用抗蚀层腐蚀剂将所述正式光栅光刻胶掩模图形转移至抗蚀层上得到抗蚀层掩模图形并对所述抗蚀层掩模图形进行光刻胶去除；利用单晶硅刻蚀液将所述抗蚀层掩模图形转移至单晶硅基底上，对所述单晶硅基底进行清洁处理。
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