[发明专利]高电压PMOS驱动电路

摘要

本发明公开了一种高电压PMOS驱动电路，涉及应用于场效应晶体管的驱动电路技术领域。所述驱动电路包括与非门、脉冲信号产生电路、电平移位电路、触发器、缓冲电路以及VS电压产生电路，使能信号输入端EN以及信号输入端口INPUT分别同所述与非门的两个输入端口A、B连接，所述与非门的输出端口O接脉冲信号产生电路的输入端口IN，脉冲信号产生电路的两个输出端口O_1、O_2分别接电平移位电路的两个输入端口IN1、IN2，电平移位电路的两个输出端口O_1、O_2分别接触发器的两个输入端口，触发器的输出端口接缓冲电路的输入端口IN，缓冲电路输出端口OUT接驱动电压输出端口HO。所述驱动电路的结构简单、易于实现、功耗小、开关损耗小、转换效率高、工作电压范围广且不需自举电路。

主权项

一种高电压PMOS驱动电路，其特征在于：包括与非门（1）、脉冲信号产生电路（2）、电平移位电路（3）、触发器（4）、缓冲电路（5）以及VS电压产生电路（6），使能信号输入端EN以及信号输入端口INPUT分别同所述与非门（1）的两个输入端口A、B连接，所述与非门（1）的输出端口O接脉冲信号产生电路（2）的输入端口IN，脉冲信号产生电路（2）的两个输出端口O_1、O_2分别接电平移位电路（3）的两个输入端口IN1、IN2，电平移位电路（3）的两个输出端口O_1、O_2分别接触发器（4）的两个输入端口，触发器（4）的输出端口接缓冲电路（5）的输入端口IN，缓冲电路（5）的输出端口OUT接驱动电压输出端口HO，VS电压产生电路（6）的输出端口OUT接中间电平VS输出端口，所述与非门（1）和脉冲信号产生电路（2）的电源端和接地端分别接低电源电压VDD及地端口GND，所述电平移位电路（3）的电源端接高电源电压VB、接地端接GND，所述触发器（4）以及缓冲电路（5）的电源端和接地端分别接高电源电压VB及中间电平VS。