[发明专利]一种掺杂氧化铁纳米线有序阵列光阳极的制备方法在审
申请号: | 201710240783.4 | 申请日: | 2017-04-13 |
公开(公告)号: | CN107099817A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 解挺;张勇;吴国胜 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C25B11/06 | 分类号: | C25B11/06;C25B1/04;C25D1/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙)34119 | 代理人: | 杨霞,翟攀攀 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种掺杂氧化铁纳米线有序阵列光阳极的制备方法,属于催化技术领域。本发明利用氧化铝有序模板和电化学合成方法制备了含有掺杂元素的羟基氧化铁纳米线有序阵列,然后再对样品进行煅烧处理得到离子掺杂氧化铁纳米线有序阵列。制备的掺杂氧化铁纳米线有序阵列是多晶结构,排列规整、尺寸均匀,具有较好的光催化性能,可作为光阳极在未来光解水制氢方面有着广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 氧化铁 纳米 有序 阵列 阳极 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种元素掺杂氧化铁纳米线有序阵列光阳极材料,其特征在于,包括α‑Fe2O3:M纳米线有序阵列,其中掺杂元素M为Ti、Sn、Al、Be、Cu、Mg、Si中至少一种。
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