[发明专利]一种倒装LED芯片制备方法有效
| 申请号： | 201710241802.5 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN108735870B | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 金力;彭翔;赵汉民;汤松龄 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种倒装LED芯片制备方法，包括：S1制备外延片；S2在外延片上制备第一保护层；S3在第一保护层表面制备第一合金层；S4根据预设图像蚀刻第一保护层和第一合金层；S5在蚀刻区域外延片表面依次制备高反射金属层和第二合金层，其中，高反射合金层与第一保护层的厚度相同；S6蚀刻步骤S4中未蚀刻区域，直至露出外延层；S7在第二合金层表面依次制备第二保护层、电极、第三保护层以及焊盘，完成倒装LED芯片的制备。其高反射金属层边缘的“吸光”金属非常窄、甚至没有，大大提高了倒装LED芯片的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片制备方法，其特征在于，所述倒装LED芯片制备方法中包括：S1制备外延片；S2在外延片上制备第一保护层；S3在所述第一保护层表面制备第一合金层；S4根据预设图像蚀刻所述第一保护层和第一合金层；S5在蚀刻区域外延片表面依次制备高反射金属层和第二合金层；S6蚀刻步骤S4中未蚀刻区域，直至露出外延层；S7在第二合金层表面依次制备第二保护层、电极、第三保护层以及焊盘，完成倒装LED芯片的制备。
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