[发明专利]一种用于DC-DC变换器的软启动电路有效

专利信息
申请号: 201710242100.9 申请日: 2017-04-12
公开(公告)号: CN106877641B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 王卓;蔡胜凯;徐俊;周泽坤;明鑫;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/36 分类号: H02M1/36
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种用于DC‑DC变换器的软启动电路,属于电子电路技术领域。在软启动阶段利用斜坡电压VSS_OUT与输出电压的分压VFB做比较,实现输出软启动,斜坡电压VSS_OUT首先以较高的斜率k1上升,以缩短软启动建立的时间,当第一电容C1两端电压达到第一NMOS管M1的阈值电压时斜坡电压Vss_out上升斜率减小为k2,防止电感电流出现过冲;在软启动结束后,即斜坡电压VSS_OUT超过基准电压VREF,额外的充电支路开启,将第四NMOS管M4的栅极电压VSS迅速拉至接近电源电位,斜坡电压VSS_OUT退出,比较器正输入端输入基准电压VREF。本发明在软启动阶段保证了输出的缓慢上升,斜坡电压Vss_out刚开始上升斜率较大,缩短了软启动建立的时间,而后上升斜率变小,抑制了浪涌电流的发生。
搜索关键词: 一种 用于 dc 变换器 启动 电路
【主权项】:
1.一种用于DC‑DC变换器的软启动电路,其特征在于,包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、三极管(Q1)、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第一PMOS管(M5)、第一反相器(D1)、第二反相器(D2)、比较器和偏置电流(IB);三极管(Q1)的发射极通过偏置电流(IB)后接电源电压(VDD),其集电极接地(GND),其基极接第二电容(C2)的一端、第四NMOS管(M4)的栅极、第三NMOS管(M3)和第一PMOS管(M5)的漏极;第二电容(C2)的另一端连接第一电容(C1)的一端、第一NMOS管(M1)的栅极和漏极、第二NMOS管(M2)和第三NMOS管(M3)的栅极,第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的源极以及第一电容(C1)的另一端接地(GND),第二NMOS管(M2)的漏极接第三NMOS管(M3)的源极;第四NMOS管(M4)的漏极接电源电压(VDD),其源极通过第三电容(C3)后接地(GND);比较器的正输入端接第四NMOS管(M4)的源极,其负输入端接基准电压(VREF),比较器的输出端通过第一反相器(D1)后输出控制信号(Ctrl)并输入到第一PMOS管(M5)的栅极,第一PMOS管(M5)的源极接电源电压(VDD);第二反相器(D2)的输入端连接第一反相器(D1)的输出端,其输出端输出软启动标志信号(SS_Flag)。
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