[发明专利]一种固溶体膜/金属异质结光电极的制备方法

摘要

本发明提供了一种新型固溶体膜/金属异质结光电极的制备方法，制备过程为，根据固溶体组成称取原料，充分研磨混合后，加入乙醇搅拌成均匀的浆料，然后均匀涂覆在预处理后的导电基底上，于50～80℃下干燥5h，之后用钼箔进行包裹，装入高温高压组装样品室内进行组装，组装完成后在120℃下烘干3h；再放入高压烧结设备中，在生长压力0.5～6.5GPa，温度为800～1300K条件下保压10min，缓慢卸压，取出组装块，取出样品除去钼箔，得到目标产物。本发明首次通过高温高压法在导电金属基底上一步合成氧化物固溶体光催化膜，在发挥固溶体膜可见光响应的同时，二者之间引入物理结，大大提高他们之间的结合强度，促进光生载流子的有效分离和输运，是一种高效的光电极材料。

主权项

1.一种固溶体膜/金属异质结光电极的制备方法，其特征在于，具体按照如下步骤实施：S1：将金属基底依次在去离子水、丙酮、异丙醇和无水乙醇中进行超声处理，然后在N2下吹干，备用；S2：根据固溶体组成，称取对应原料，充分研磨混合后形成混合物，向混合物中加入一定体积的无水乙醇充分搅拌成均匀的浆料，然后将浆料均匀涂覆在S1处理后的金属基底上，于50～80℃下干燥5h，得到干燥后的样品；S3：将干燥后的样品用钼箔进行包裹，然后装入高温高压组装样品室内进行组装，组装完成后在120℃下烘干3h；S4：将烘干过的组装块放入高压烧结设备中，在生长压力0.5～6.5GPa，温度为800～1300K条件下保压10min，然后缓慢卸压，取出组装块，取出样品除去钼箔，得到固溶体膜/金属异质结基底光电极；所述固溶体为不同半导体金属的同类化合物形成的二元或二元以上的固溶体，或相同半导体金属的不同化合物形成的二元或二元以上的固溶体，或半导体金属化合物与过渡金属元素所形成的二元或二元以上的固溶体，其中半导体金属的化合物为氧化物、氮化物、碳化物或硫化物；所述金属基底金属为Ni、Co、Mo、Cu、Ag、Au、Fe、Ti、钛合金、铁合金、铜合金、记忆合金中的任意一种。