[发明专利]一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管在审
| 申请号： | 201710242816.9 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107017293A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;罗烨辉;吴秋媛;杨银堂;柴常春 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 刘玲玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，结构自下而上包括半绝缘衬底、AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其中，所述AlGaN势垒层的上表面的两侧分别设有源电极和漏电极、源电极和漏电极之间且靠近源电极处设有栅电极，在栅电极的源侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅源势垒层区域，在栅电极的漏侧区域一部分AlGaN势垒层向下凹陷形成凹陷栅漏势垒层区域。本发明的有益之处在于(1)跨导饱和区扩展；(2)击穿电压提高；(3)频率特性改善；(4)微波输出特性增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 凹陷 algan 势垒层 gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有双凹陷AlGaN势垒层的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，结构自下而上包括：半绝缘衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)和AlGaN势垒层(4)，其特征在于，所述AlGaN势垒层(4)的上表面的两侧分别设有源电极(5)和漏电极(6)、源电极(5)和漏电极(6)之间且靠近源电极(5)处设有栅电极(7)，在栅电极(7)的源侧区域一部分AlGaN势垒层(4)向下凹陷形成凹陷栅源势垒层区域(8)，在栅电极(7)的漏侧区域一部分AlGaN势垒层(4)向下凹陷形成凹陷栅漏势垒层区域(9)。
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