[发明专利]一种碘化亚铜二维材料、制备及其应用

摘要

本发明涉及一种碘化亚铜二维材料的制备方法，所述的碘化亚铜纳米片及其垂直异质结不仅丰富了新的二维材料及异质结的种类，而且也为发现新的电子、光电子器件设备提供了新的可能。这一方法包括以下步骤：将盛有碘化亚铜粉末的瓷舟放在管式炉的恒温区，用空的或长有硒化钨、硫化钨的Si/300nmSiO2作为纳米片的生长基片，置于炉子下游的变温区以获得适当的晶体生长温度。用氩气作为载气，调节氩气的流量为10‑225sccm，设置恒温区温度为360‑470℃，恒温1‑40min即可获得碘化亚铜二维材料。硒化钨、硫化钨纳米片的制备方法与上述步骤相同。本发明制备的碘化亚铜纳米片厚度有1‑300nm，大小为1‑5μm，具有规则的三角形和六边形的形貌，结晶性好而且异质结制备方法简单。