[发明专利]顶发射型发光器件有效
申请号: | 201710244493.7 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN106848104B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 何鑫 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜怡;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种顶发射型发光器件。所述顶发射型发光器件包括:第一电极,位于出光侧处;第二电极,与第一电极相对设置;以及有机功能层,位于第一电极和第二电极之间,其中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层形成在第二电极和有机功能层之间,其中,金属氧化物层的厚度大于金属纳米颗粒的粒径,以使金属纳米颗粒被金属氧化物层覆盖。根据本公开的实施例,改善了顶发射型发光器件的发光层的发光效率,减小因电极猝灭造成的效率低下。 | ||
搜索关键词: | 发射 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种顶发射型发光器件,包括:第一电极,位于出光侧处;第二电极,与第一电极相对设置;以及有机功能层,位于第一电极和第二电极之间,其中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层形成在第二电极和有机功能层之间,其中,金属氧化物层的厚度大于金属纳米颗粒的粒径,以使金属纳米颗粒被金属氧化物层覆盖,其中,包覆金属纳米颗粒的金属氧化物层是功函数与第二电极和金属纳米颗粒具有良好的匹配性的金属氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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