[发明专利]一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法

摘要

本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括：透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中：固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。

主权项

1.一种基于硅基氮化物的可变光分布器件，其特征在于，包括：透镜(1)、GaN基LED光源(3)、Si基衬底(4)、静电MEMS微执行器，所述的GaN基LED光源(3)包括量子阱GaN(7)、N‑GaN(8)、P‑GaN(9)、EL电极(10)；所述的GaN基LED光源生长在Si基衬底(4)上；所述的透镜(1)完全粘附在GaN基LED光源(3)上；所述的静电MEMS微执行器包括由固定齿梳和可动齿梳构成的梳状驱动器；所述的固定齿梳连接在Si基衬底(4)上，可动齿梳固定设置于GaN基LED光源(3)下方；通过施加电压，GaN基LED光源(3)在梳状驱动器的作用下，在Si基衬底(4)平台上做横向移动；Si基衬底(4)平台由四根弹簧(5)所支撑；当GaN基LED光源(3)平行移动到透镜(1)的光轴方向时，经过GaN基LED光源(3)所发出的准直光束(2)，以与Si基衬底平面成比例的角度偏转。