[发明专利]有机薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明公布了一种有机薄膜晶体管的制作方法，包括：在金属基板的表面形成石墨烯层；覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线；转移所述有机半导体纳米线至目标基板。在金属基板表面大规模形成石墨烯层，以石墨烯层为基底大规模生长有机半导体纳米线(单晶半导体)，有机半导体纳米线转印于目标基板后形成有机薄膜晶体管的有机半导体层，大面积的金属基板表面可以一次性形成大量的有机半导体纳米线，可以快速、高质量的将金属基板的有机半导体纳米线大规模的转移到目标基板，降低制作过程耗时，满足大规模生产需求，显示设备的产能高，降低了生产成本。

主权项

1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：采用甲烷气体和氢气在不低于1000℃的环境温度下化学气相沉积于金属基板的表面，形成石墨烯层；覆盖有机溶液于所述石墨烯层的表面，并加热所述石墨烯层以在所述石墨烯层表面形成有机半导体纳米线，所述有机溶液为9,10‑双苯乙炔基蒽和二甲基甲酰胺的混合溶液，所述有机溶液中，9,10‑双苯乙炔基蒽的浓度为0.004摩尔/升至0.012摩尔/升，所述加热所述石墨烯层的温度不高于50℃，加热时间不少于48小时；转移所述有机半导体纳米线至目标基板。