[发明专利]一种反向扩散技术制备水滑石复合膜的方法在审
申请号: | 201710245830.4 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN106914144A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 王乃鑫;李晓婷;黄政;安全福;纪淑兰 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | B01D67/00 | 分类号: | B01D67/00;B01D69/12;B01D71/02;B01D61/36 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 | 代理人: | 张立改 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种反向扩散技术制备水滑石复合膜的方法,属于膜分离技术领域,包括以下步骤将多孔基底进行预处理。将合成水滑石的两种金属离子溶液分别置于基膜的两侧,通过调控两种金属离子的摩尔比,前驱体浓度,合成温度,反应时间等,使两种含有金属离子的溶液在基膜的多孔结构中扩散相遇并发生反应,生成水滑石,然后烘干。本发明可以实现水滑石在基底表面及内部均匀生长且尺寸均一,有效克服很多无机材料在基底难于成核等问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 反向 扩散 技术 制备 滑石 复合 方法 | ||
【主权项】:
一种反向扩散技术制备水滑石复合膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对多孔基膜进行预处理,先将基底浸泡于酸溶液中一段时间,用去离子水冲洗并超声震荡,去除膜孔内残余的酸;(2)将酸洗过后的陶瓷基底浸泡于碱溶液中一段时间,用去离子水冲洗并超声震荡,去除膜孔内残余的碱,调节基膜表面的pH至中性,之后将陶瓷基底放置于一定温度的烘箱内干燥待用;(3)将合成水滑石的金属离子盐中的一种或两种溶于A溶剂,形成A溶液;将合成水滑石的金属离子盐中的另一种或两种溶于B溶剂,形成B溶液;在A溶液或/和B溶液中加入尿素和氟化铵,形成A前驱体溶液或/和B前驱体溶液,静置脱泡;A前驱体溶液和B前驱体溶液之间总金属离子浓度有浓度差;(4)将两种前驱体溶液分别置于多孔基膜的两侧;在80℃~300℃下,使两种前驱体溶液中的金属离子通过基膜的孔道结构扩散相遇并发生化学反应,在基膜的表面及孔内形成水滑石;(5)将步骤(4)制备的水滑石复合膜放入40℃~150℃真空烘箱内干燥;(6)重复(3)~(5)步骤0~10次,在多孔基膜表面及孔内部形成单层或多层水滑石分离层。
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