[发明专利]超声波指纹传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201710246018.3 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107169416B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 季锋;闻永祥;刘琛;周浩 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06V40/13 | 分类号： | G06V40/13;H10N39/00;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种超声波指纹传感器及其制造方法。该方法包括：形成超声波换能器，包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层；形成CMOS电路，包括第二衬底、在所述第二衬底中形成的至少一个晶体管、以及位于所述至少一个晶体管上的多个布线层和多个层间介质层；将所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接；以及在所述超声波换能器中形成超声波波导结构，其中，所述机械支撑层为外延多晶层。该方法利用外延多晶生长的机械支撑层减小应力对超声波换能器的性能影响，从而提高频率稳定性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 指纹 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造超声波指纹传感器的方法，包括：形成超声波换能器，包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层，所述超声波换能器包括彼此相对的第一表面和第二表面；形成CMOS电路，包括第二衬底、在所述第二衬底中形成的至少一个晶体管、以及位于所述至少一个晶体管上的多个布线层和多个层间介质层，所述CMOS电路包括彼此相对的第三表面和第四表面；将所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接，其中，所述超声波换能器的第二表面与所述CMOS电路的第三表面相对；以及在所述超声波换能器的第一表面中形成超声波波导结构，其中，所述机械支撑层为低应力层。
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