[发明专利]一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的方法在审
| 申请号： | 201710247244.3 | 申请日： | 2017-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107215858A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 王兵;王蕴玉;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;H01L33/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种催化CVD法自生长石墨烯的方法，具体是将铜箔包覆的蓝宝石、硅片、氮化铝基板、碳化硅基板、GaN基板或GaN基LED结构等衬底置于真空管中，运用铜箔高温生成的铜蒸气催化CVD法生长石墨烯，制备石墨烯的透明导电薄膜。本发明采用铜箔包覆作为催化剂，实现CVD法石墨烯薄膜的自生长。通过本发明能够生长连续、大面积的石墨烯，避免转移工序，制备的材料能够应用到发光二极管、电子器件、探测器及太阳能电池等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 催化 cvd 生长 石墨 透明 导电 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种催化CVD法自生长石墨烯透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：制备铜箔包覆；S2：将铜箔包覆置于衬底的周围，形成铜箔包覆和衬底的贴近式非接触放置；S3：在周围置有铜箔包覆的衬底上形成石墨烯薄膜。
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