[发明专利]一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法及应用在审
| 申请号： | 201710248869.1 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106997916A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 刘铎;赵东方;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，包括通过在LED芯片外延结构施加载荷、形成图形化，进而提高LED光提取效率。本发明控制施加在LED芯片外延结构的载荷大小或加工图形的深度、宽度等参数，对LED芯片外延结构进行图形化处理，进而提高LED光提取效率。本发明可应用于各种结构的GaAs基LED、GaN基LED和OLED表面的粗化及刻蚀，具有适用材料范围广、加工面积大、图形的深度和宽度等加工参数严格可控、对材料损伤小、精度高、效果好等优点，适合大规模批量性生产，在高亮度LED生产中具有很大的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 划痕 技术 提高 led 提取 效率 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法，其特征在于，该方法包括：通过在LED芯片外延结构施加载荷、形成图形化，进而提高LED光提取效率。
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