[发明专利]发光二极管磊晶结构在审
| 申请号： | 201710249399.0 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107403858A | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 杨仲傑;王德忠 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管磊晶结构，包含基板、缓冲层、第一半导体层、发光层、中介层、第二半导体层以及接触层。缓冲层设置于基板上。第一半导体层设置于缓冲层上。发光层设置于第一半导体层上。中介层设置于发光层上，其中中介层的材质为P型氮化铝。第二半导体层设置于中介层上，其中第二半导体层的材质为P型氮化铝镓。接触层设置于第二半导体层上。通过妥善选择中介层与第二半导体层的材质，第二半导体层相较于发光层具有较高的能阶，因此第二半导体层可以有效阻挡电子而不让电子通过。同时，中介层相较于第二半导体层具有较高的能阶，因此中介层将能更进一步地阻挡电子而不让电子通过，因而使电子得以停留在发光层中并提升发光层的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管磊晶结构，其特征在于，包含：一基板；一缓冲层，设置于该基板上；一第一半导体层，设置于该缓冲层上；一发光层，设置于该第一半导体层上；一中介层，设置于该发光层上，其中该中介层的材质为P型氮化铝；一第二半导体层，设置于该中介层上，其中该第二半导体层的材质为P型氮化铝镓；以及一接触层，设置于该第二半导体层上。
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