[发明专利]一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法

摘要

本发明属于显示面板技术领域。本发明公开了一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法，包括依次在衬底基板上形成栅极层、有源层、源漏极接触层和源漏电极。形成源漏极接触层的过程包括形成沟道保护层；使用包含乙硼烷的反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积的方法沉积欧姆接触层，并对其进行构图，形成源漏极接触层。在沉积欧姆接触层的过程中，硼离子会进入源漏极接触层中。此种方法不再需要采用掩膜定义硼离子植入区域，省去了硼离子植入的过程，简化了工艺流程，降低了制造成本。

主权项

一种制作低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S11：在衬底基板上形成栅极层的过程；S12：形成有源层的过程；S13：形成源漏极接触层的过程；S14：形成源漏电极层的过程，其中，形成所述源漏极接触层的过程包括：形成沟道保护层，并通过等离子体增强化学气相沉积的方法沉积欧姆接触层，其中使用的反应气体包含乙硼烷，然后，对所述欧姆接触层进行图形化处理，形成所述源漏极接触层。