[发明专利]一种垂直腔面发射同轴封装光电器件及其封装方法在审
| 申请号： | 201710249523.3 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106848829A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 孟海杰 | 申请（专利权）人： | 武汉盛为芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/026 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射同轴封装光电器件，包括VCSEL激光器芯片(1)、Si基集成器件(2)、TO底座(3)、TO帽(4)和平面玻璃(5)。其中所述VCSEL激光器芯片(1)通过共晶焊接贴装在所述Si基集成器件(2)上；所述Si基集成器件(2)通过共晶焊接贴装在TO底座(3)上；所述TO帽(4)顶部为一倾斜平面，所述倾斜平面上开设有出光窗口，用于射出所述VCSEL激光器芯片(1)发出的光，所述平面玻璃(5)通过密封胶粘合在所述倾斜平面上以堵住所述出光窗口，从而所述TO底座(3)、TO帽(4)和平面玻璃(5)形成一个密封空间，将VCSEL激光器芯片(1)和Si基集成器件(2)密封其中。本发明的光电器件性能高、结构简单、可靠性高且封装工艺环节少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 同轴 封装 光电 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直腔面发射同轴封装光电器件，其特征在于，包括：VCSEL激光器芯片(1)，用于进行光电转换；Si基集成器件(2)，用于实现所述VCSEL激光器芯片(1)过渡块和出光功率检测；其中所述VCSEL激光器芯片(1)通过共晶焊接贴装在所述Si基集成器件(2)上；TO底座(3)，其中所述Si基集成器件(2)通过共晶焊接贴装在TO底座(3)上；TO帽(4)，用于与所述TO底座(3)气密耦合形成一个容纳所述VCSEL激光器芯片(1)和所述Si基集成器件(2)的空间；其中所述TO帽(4)顶部为一倾斜平面，所述倾斜平面上开设有出光窗口，用于射出所述VCSEL激光器芯片(1)发出的光；以及平面玻璃(5)，通过密封胶粘合在所述倾斜平面上以堵住所述出光窗口，从而所述TO底座(3)、TO帽(4)和平面玻璃(5)形成一个密封空间，将所述VCSEL激光器芯片(1)和Si基集成器件(2)密封在其中。
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