[发明专利]氮掺杂镍钴氧纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201710249852.8 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107658433A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郑鹏;曹金花;郭守武;刘毅;张利锋;原晓艳;王晓飞;霍京浩 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/525;H01M4/62;H01M4/131;H01M4/1391;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 氮掺杂镍钴氧纳米线阵列及其制备方法，首先，在水热条件下，将硝酸钴、硝酸镍、氟化铵、尿素混合反应，于泡沫镍上生长镍钴氧前驱体纳米线阵列，其次，将镍钴氧前驱体纳米线阵列高温煅烧，合成NiCo2O4纳米线阵列，最后，将NiCo2O4纳米线阵列高温煅烧，对生长在泡沫镍上的NiCo2O4纳米线阵列进行氮掺杂，能够制备出生长在泡沫镍上的氮掺杂NiCo2O4纳米线阵列，提高NiCo2O4的导电率，从而提高其电池性能，具有操作简单、成本低廉、环保无污染的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 镍钴氧 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
氮掺杂镍钴氧纳米线阵列，其特征在于，所述氮掺杂NiCo2O4纳米线阵列长度为4‑6μm，直径为15‑25nm,在100mAg‑1电流密度下，放电比容量达到1100‑1300mAh g‑1。
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