[发明专利]泡沫镍上生长碳包覆氧化钴纳米线阵列及其制备方法在审
| 申请号： | 201710250424.7 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN107093717A | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 郑鹏;曹金花;郭守武;刘毅;张利锋;原晓艳;王晓飞;霍京浩 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/52;H01M4/62;H01M4/66;H01M4/80;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所61215 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710021 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 泡沫镍上生长碳包覆氧化钴纳米线阵列的制备方法，首先，将硝酸钴、氨水、尿素、水及泡沫镍在水热条件下混合反应，制备生长在泡沫镍上的氢氧化钴纳米线，其次，将泡沫镍上的氢氧化钴纳米线与葡萄糖混合进行水热反应，得到包覆碳层的纳米线，最后，将包覆碳层的纳米线在惰性气氛下煅烧，得到泡沫镍上生长的碳包覆氧化钴纳米线，所制备的一维碳包覆氧化钴纳米线具有良好的结构稳定性和循环稳定性，具有操作简单、成本低廉、环保无污染的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 泡沫 生长 碳包覆 氧化钴 纳米 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
泡沫镍上生长碳包覆氧化钴纳米线阵列，其特征在于，泡沫镍生长碳包覆氧化钴纳米线阵列中纳米线的长为2‑5μm,直径为10‑20nm；在100mA g‑1电流密度下阵列放电比容量为1000‑1300mAhg‑1。
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