[发明专利]MRAM的制作方法在审
| 申请号： | 201710250894.3 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108735896A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘鲁萍 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种MRAM的制作方法。该制作方法包括：在衬底的表面上间隔设置多个预存储单元，各预存储单元包括一个MTJ器件；采用旋涂法在多个预存储单元的远离衬底的表面上设置介电材料，介电材料覆盖各MTJ器件并充满相邻两个MTJ器件之间的间隙；对介电材料进行硬化，形成介电层。该制作方法采用旋涂法在预存储单元的表面上设置介电材料，其在填充间隙的同时不会在MTJ的表面上形成较高的台阶，使得形成的介电层的表面平整度好，后续可以直接采用刻蚀法去除MTJ上多余的介电材料，且由于用于旋涂的液态介电材料的反流特性好且具有一定的粘度而使得形成的介电层具有均匀平直性和高耐破裂性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料 预存储 介电层 旋涂法 制作 衬底 液态介电材料 表面平整度 间隔设置 耐破裂性 平直性 反流 刻蚀 旋涂 去除 填充 硬化 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种MRAM的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底(1)的表面上间隔设置多个预存储单元，各所述预存储单元包括一个MTJ器件(6)；采用旋涂法在所述多个预存储单元的远离所述衬底(1)的表面上设置介电材料，所述介电材料覆盖各所述MTJ器件(6)并充满相邻两个所述MTJ器件(6)之间的间隙；以及对所述介电材料进行硬化，形成介电层(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电海康集团有限公司，未经中电海康集团有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710250894.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：磁性随机存储器底电极接触及其形成方法
- 下一篇：相变存储器
